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2SD1286	文件：225.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SD1286-Z is designed for Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High hFE : hFE =2 000 to 30 000 ● Complement to 2SB963-Z 文件：225.78 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1286	文件：299.73 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：299.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1286	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD1286-Z	文件：225.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SD1286-Z is designed for Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High hFE : hFE =2 000 to 30 000 ● Complement to 2SB963-Z 文件：225.78 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1286-Z	文件：1.85638 Mbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1286-Z is designed for Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE = 2000 to 30000 • Complement to 2SB963-Z 文件：1.85638 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1286-Z	文件：303.37 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • With TO-252(DPAK) packaging • Very high DC current gain • Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode • Complement to type 2SB963-Z • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION 文件：303.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1286-Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD1286
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD842,2SD946,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β=8000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
10

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
8
IC (A) @25 °C：
1
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
8
Package Type：
MP-3
Production Status：
EOL

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