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2SD1223	文件：170.92 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A) • Complementary to 2SB908. 文件：170.92 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1223	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1223	文件：295.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223	文件：276.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223	文件：163.63 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications 文件：163.63 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1223	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications Feature：Darlington\nApplication Scope：Power amplifier / Switching\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SB908\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector power dissipation PC 15 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO 80 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD1223-251	文件：295.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223-252	文件：276.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223_10	文件：163.63 Kbytes Page：5 Pages	Switching Applications 文件：163.63 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1223(TE16L1,NQ)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SD1223
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4339,2SD1520,2SD1749,2SD1816,2SD1955,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Darlington
VCEO(Max)(V)：
80
IC(Max)(A)：
4
hFE(Min)：
2000
VCE(sat)(Max)(V)：
1.5
ComplementaryProduct：
2SB908
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
New PW-Mold
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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