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2SD1223分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SD1223
厂商型号

2SD1223

参数属性

2SD1223 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD

功能描述

NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

文件大小

170.92 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 16:30:00

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2SD1223规格书详情

Switching Applications

Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications

Power Amplifier Applications

• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A)

• Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A)

• Complementary to 2SB908.

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1223,L1XGQ(O

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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