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2SC3646	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3646	文件：1.92598 Mbytes Page：3 Pages	High-VoltageSwitchingApplications Features ●AdoptionofFBET,MBITProcesses ●HighBreakdownVoltageandLargeCurrentCapacity ●FastSwitchingTime	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC3646	文件：457.35 Kbytes Page：7 Pages	High-VoltageSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3646	文件：113.47 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3646	文件：511.22 Kbytes Page：3 Pages	High-VoltageSwitchingApplications Features ●AdoptionofFBET,MBITProcesses ●HighBreakdownVoltageandLargeCurrentCapacity ●FastSwitchingTime	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3646	文件：124.38 Kbytes Page：4 Pages	High-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3646-R	文件：1.12978 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3646S-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3646S-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3646-T	文件：1.12978 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3646T-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3646T-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC3646T-TD/CB	SANYO	2008++	SOT-89	6682	新进库存/原装	询价
深圳市益百分电子有限公司	2SC3646T-TD-E	SANYO	13+	SOT89	6000	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
深圳市达恩科技有限公司	2SC3646T-TD-E	ONSemiconductor	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	2SC3646T-TD-E	ON	2017+	SMD	12000	原厂/代理渠道价格优势	询价
深圳兆威电子有限公司	2SC3646T-TD-E	三洋/SANYO	22+	SOT89-3L	25016	原装正品现货	询价
深圳市纳立科技有限公司	2SC3646T-TD-E		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC3646T-TD-E	SANYO/三洋	20+	SOT-89	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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更多2SC3646T-TD/CB供应商更新时间2024-9-23 16:30:00

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