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2SC3646-T	文件：1.12978 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3646	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3646	文件：1.92598 Mbytes Page：3 Pages	High-VoltageSwitchingApplications Features ●AdoptionofFBET,MBITProcesses ●HighBreakdownVoltageandLargeCurrentCapacity ●FastSwitchingTime	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC3646	文件：457.35 Kbytes Page：7 Pages	High-VoltageSwitchingApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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2SC3646	文件：511.22 Kbytes Page：3 Pages	High-VoltageSwitchingApplications Features ●AdoptionofFBET,MBITProcesses ●HighBreakdownVoltageandLargeCurrentCapacity ●FastSwitchingTime	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3646	文件：124.38 Kbytes Page：4 Pages	High-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3646-R	文件：1.12978 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3646S-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorHighbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3646S-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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