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2SC3649	文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：127.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3649	文件：81.35 Kbytes Page：2 Pages	High speed switching transistor [COLLMER SEMICONDUCTOR] High speed switching transistor 文件：81.35 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC3649	文件：120 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：120 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3649	文件：457.45 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：457.45 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3649	文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.16139 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3649	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，160V，1.5A，低 VCE(sat)，(PNP)NPN 单 PCP 2SC3649 is a Bipolar Transistor, 160V, 1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for High-Voltage Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• High breakdown voltage and large current capacity\n• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistors	XW 芯微半导体	XW
2SC3649S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3649T-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC3649
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1420,2SD1421,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
180
htest：
120000000
atest：
1.5
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.45
IC Cont. (A)：
1.5
VCEO Min (V)：
160
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
120
PTM Max (W)：
0.5
Package Type：
SOT-89/PCP-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC3649	ON/安森美	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC3649	SANYO	24+	SOT-89	6200	新进库存/原装	询价
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深圳市腾亿芯科技有限公司	2SC3649	SANYO/三洋	25+	SOT-89	20000	原装	询价
深圳市芯为科技有限公司	2SC3649	三洋	N/A	SOT-89	8960		询价

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