2SC3649中文资料双极晶体管,160V,1.5A,低 VCE(sat),(PNP)NPN 单 PCP数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
2SC3649 |
参数属性 | 2SC3649 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 1.5A PCP |
功能描述 | 双极晶体管,160V,1.5A,低 VCE(sat),(PNP)NPN 单 PCP |
封装外壳 | TO-243AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 9:18:00 |
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2SC3649规格书详情
描述 Description
2SC3649 is a Bipolar Transistor, 160V, 1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for High-Voltage Switching Applications.
特性 Features
• Adoption of FBET, MBIT processes
• High breakdown voltage and large current capacity
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs
简介
2SC3649属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SC3649晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2SC3649
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.45
- IC Cont. (A)
:1.5
- VCEO Min (V)
:160
- VCBO (V)
:180
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.85
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:140
- hFE Max
:280
- fT Min (MHz)
:120
- PTM Max (W)
:0.5
- Package Type
:SOT-89/PCP-1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
SANYO |
23+ |
SOT |
1000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SANYO/三洋 |
23+ |
SOT-89 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
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SOT-89 |
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SOT-89 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-89 |
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