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2SC4793	文件：147.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) •Complementaryto2SA1837	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4793	文件：46.52 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR ■FEATURES Hightransitionfrequency Poweramplifierapplications *Driverstageamplifierapplications	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC4793	文件：246.06 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SA1837 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC4793	文件：166.68 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SA1837 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4793	文件：44.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SA1837 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC4793	文件：504.58 Kbytes Page：3 Pages	20 Watt Silicon Epitaxial Planar Process NPN Power Transistor DESCRIPTION •WithTO-220Fpackageoutline •Complementtotype2SA1837 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •RecommendedforDriverStageAmplifierApplications	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC4793	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) •HighCurrent-GainBandwidthProduct •ComplementtoType2SA1837 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications. •Driverstageamplifierapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC4793	文件：1.08448 Mbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) •HighCurrent-GainBandwidthProduct •ComplementtoType2SA1837 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC4793	文件：598.95 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) •Complementaryto2SA1837	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC4793	文件：219.53 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES •Highcollectorvoltage˖VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1937 •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(Typ.) •RoHSproduct APPLICATIONS •PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
2SC4793
功能描述：
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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