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2SC4793	文件：147.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) •Complementaryto2SA1837	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC4793	文件：46.52 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR ■FEATURES Hightransitionfrequency Poweramplifierapplications *Driverstageamplifierapplications	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SC4793	文件：246.06 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SA1837 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SC4793	文件：166.68 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SA1837 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC4793	文件：44.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SA1837 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SC4793	文件：504.58 Kbytes Page：3 Pages	20 Watt Silicon Epitaxial Planar Process NPN Power Transistor DESCRIPTION •WithTO-220Fpackageoutline •Complementtotype2SA1837 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •RecommendedforDriverStageAmplifierApplications	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
2SC4793	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) •HighCurrent-GainBandwidthProduct •ComplementtoType2SA1837 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications. •Driverstageamplifierapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SC4793	文件：1.08448 Mbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) •HighCurrent-GainBandwidthProduct •ComplementtoType2SA1837 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
2SC4793	文件：598.95 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) •Complementaryto2SA1837	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC4793	文件：219.53 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES •Highcollectorvoltage˖VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1937 •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(Typ.) •RoHSproduct APPLICATIONS •PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
2SC4793	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC4793	文件：249.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC4793	文件：131.68 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC4793	文件：44.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SC4793	文件：52.21 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SC4793	文件：247.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SC4793	文件：52.21 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SC4793AF	文件：189.25 Kbytes Page：3 Pages	High Frequency NPN Power Transistor FEATURES •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) •Complementaryto2SA1837AF •TO-220Fpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew APPLICATIONS •Poweramplifier •Driverstageamplifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
2SC4793D	文件：907.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features HighfT,complementarypairwith2SA1837D. Applications Poweramplifieranddriverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SC4793L-TF3-T	文件：46.52 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR ■FEATURES Hightransitionfrequency Poweramplifierapplications *Driverstageamplifierapplications	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

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晶体管资料

型号：
2SC4793
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
230V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
230
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
20

详细参数

型号：
2SC4793
功能描述：
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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