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2SC4793	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4793	文件：249.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4793	文件：131.68 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4793	文件：44.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC4793	文件：52.21 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC4793	文件：247.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC4793	文件：52.21 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC4793AF	文件：189.25 Kbytes Page：3 Pages	High Frequency NPN Power Transistor FEATURES •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(typ.) •Complementaryto2SA1837AF •TO-220Fpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew APPLICATIONS •Poweramplifier •Driverstageamplifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
2SC4793D	文件：907.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features HighfT,complementarypairwith2SA1837D. Applications Poweramplifieranddriverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC4793L-TF3-T	文件：46.52 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR ■FEATURES Hightransitionfrequency Poweramplifierapplications *Driverstageamplifierapplications	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
2SC4793
功能描述：
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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