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2SC4793分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SC4793
厂商型号

2SC4793

参数属性

2SC4793 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

功能描述

20 Watt Silicon Epitaxial Planar Process NPN Power Transistor

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

504.58 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

THINKISEMI思祁半导体

中文名称

思祁半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 23:41:00

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2SC4793规格书详情

DESCRIPTION

• With TO-220F package outline

• Complement to type 2SA1837

APPLICATIONS

• Power amplifier applications

• Recommended for Driver Stage Amplifier Applications

产品属性

  • 产品编号:

    2SC4793(LBSAN,F,M)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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