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2SC3355	文件：102.15 Kbytes Page：8 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC3355isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithaslangedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC3355	文件：107.61 Kbytes Page：3 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER FEATURES LowNoiseandHighGain HighPowerGain	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3355	文件：82.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3355	文件：314.85 Kbytes Page：6 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz NF=1.1dBTYP.,Ga=9.0dBTYP. @VCE=10V,IC=40mA,f=1.0GHz •HighPowerGain MAG=11dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS •Designe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3355	文件：920.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Lownoiseandhighpowergain. Applications lownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVbandapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3355	文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355	文件：438.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor ■ABSTRACT The2SC3355isasiliconepitaxialtransistorinNPNconfiguration.Thishighfrequency,lownoiseamplifierboastsahighpowergain.ThetransistorisencasedinacompactthreepindurableplasticTO-92package.	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
2SC3355	文件：248.21 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION DESCRIPTION The2SC3355isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslangedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355-T	文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355-T	文件：248.21 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION DESCRIPTION The2SC3355isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslangedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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