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2SC3355-T中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SC3355-T
厂商型号

2SC3355-T

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

文件大小

248.21 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 22:50:00

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2SC3355-T规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic.

FEATURES

• Low noise and high gain

NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz

NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1 GHz

• High power gain : MAG = 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz

产品属性

  • 型号:

    2SC3355-T

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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