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2SC3355-T	文件：248.21 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION DESCRIPTION The2SC3355isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslangedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355-T	文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355-T92-B	文件：82.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3355-T92-K	文件：82.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3355-T92-R	文件：82.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3355	文件：248.21 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION DESCRIPTION The2SC3355isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslangedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355	文件：438.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor ■ABSTRACT The2SC3355isasiliconepitaxialtransistorinNPNconfiguration.Thishighfrequency,lownoiseamplifierboastsahighpowergain.ThetransistorisencasedinacompactthreepindurableplasticTO-92package.	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
2SC3355	文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3355	文件：920.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Lownoiseandhighpowergain. Applications lownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVbandapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3355	文件：314.85 Kbytes Page：6 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz NF=1.1dBTYP.,Ga=9.0dBTYP. @VCE=10V,IC=40mA,f=1.0GHz •HighPowerGain MAG=11dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS •Designe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
2SC3355-T
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3355-T供应商更新时间2025-5-17 14:48:00

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