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2SC3356-T1B-R24-A

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

2SC3356-T1B-R25-A

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3

CEL

California Eastern Labs

2SC3356-T1B

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold *Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz *Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SC3356-T1B

NPNSiliconRFTransistor

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SC3356-T1B-A

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold *Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz *Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3356-T1B-R24-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
2022+
SOT-23
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
RENESAS/瑞萨
22+
SOT23
25000
只有原装原装,支持BOM配单
询价
CEL
25+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
NK/南科功率
2025+
SOT-23-3
986966
国产
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NEC进口
17PB
SOT23
4740
现货
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NEC
23+
SOT-23
8293
询价
NEC
2020+
SOT-23
30000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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NEC
2010+
SOT-23
6000
绝对原装自己现货
询价
NEC
23+
SOT-23
18000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
NEC
23+
SOT23-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多2SC3356-T1B-R供应商 更新时间2025-6-16 8:24:00