首页>2SC3356-T1B>规格书详情
2SC3356-T1B分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC3356-T1B |
| 参数属性 | 2SC3356-T1B 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
189.37 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 | RENESAS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 13:01:00 |
| 人工找货 | 2SC3356-T1B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC3356-T1B规格书详情
NPN Silicon RF Transistor
NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
* Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga= 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz
* High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz
产品属性
- 产品编号：
2SC3356-T1B-R25-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
11.5dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SOT-23 |
285457 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT23-3 |
999999 |
原装正品现货量大可订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT23R24 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT23-3 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
询价 | |||
2SC3356-T1B |
4645 |
4645 |
询价 | ||||
RENESAS |
2430+ |
SOT23-3 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT23-3 |
2650 |
原装优势!绝对公司现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 |
