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2SB857	文件：32.67 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPTripleDiffused Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1133and2SD1134	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SB857	文件：34.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Lowfrequencypoweramplifier.	HSMC 华昕	HSMC
2SB857	文件：134 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •Complementtotype2SD1133/1134 APPLICATIONS •Lowfrequencypoweramplifier	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB857	文件：196.23 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforlowfrequencypoweramplifier.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2SB857	文件：239.9 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •Complementtotype2SD1133/1134 APPLICATIONS •Lowfrequencypoweramplifier	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB857	文件：184.7 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •Complementtotype2SD1133/1134 APPLICATIONS •Lowfrequencypoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB857	文件：46.15 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION Lowfrequencypoweramplifier.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB857	文件：145.78 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPTripleDiffused	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB857	文件：948.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features complementarypairwith2SD1133. Applications Lowfrequencypoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB857	文件：135.68 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB857	文件：570.21 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifier	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB857	文件：71.64 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent:lc=-4A •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.0V(Max)@lc=-2A •HighCollectorPowerDissipation •ComplementtoType2SD1133 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB857-B	文件：401.92 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowFrequencyPowerAmplifier •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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