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2SC4177	文件：1.89586 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain Complementary to 2SA1611 High Voltage APPLICATIONS General Purpose Amplification 文件：1.89586 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC4177	文件：129.41 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR FEATURES Power dissipation PCM: 0.15 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：129.41 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC4177	文件：855.29 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package. Features High DC current gain, high voltage, complementary to 2SA1611. Applications Audio frequency general purpose amplifier. 文件：855.29 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC4177	文件：681.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High DC Current Gain • Complementary to 2SA1611 • High Voltage APPLICATIONS • General Purpose Amplification 文件：681.24 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4177	文件：291.73 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Excellent hFE linearity. ● High voltage and current. ● Complementary to 2SA1611. ● Small package. APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：291.73 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC4177	文件：456.32 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC Current Gain ● Complementary to 2SA1611 ● High Voltage APPLICATIONS ● General Purpose Amplification 文件：456.32 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC4177	文件：825.55 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC Current Gain ● Complementary to 2SA1611 ● High Voltage APPLICATIONS ● General Purpose Amplification 文件：825.55 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC4177	文件：47.98 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ● High dc current gain ● High voltage. 文件：47.98 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4177	文件：109.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES • High DC Current Gain. • High Voltage. • Complementary to 2SA1611 APPLICATIONS • General Purpose Amplification 文件：109.09 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC4177	文件：256.269 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complementary to 2SA1611 ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = 50 V 文件：256.269 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SC4177
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3936,2SC4081,2SC4116,2SC4141,2SC4155,2SC4211,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
90-600
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.25
Cob (Typical) (pF)：
3

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