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2SC3998	文件：81.31 Kbytes Page：3 Pages	Very High-Definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications??? Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features · High speed (tf=100ns typ). · High breakdown voltage (VCBO=1500V). · High reliability (adoption of HVP process). · Adoption of MBIT process. 文件：81.31 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3998	文件：260.649 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Switching Speed • High Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 1500V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for horizontal deflection output applications. 文件：260.649 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3998	文件：331.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 800V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):5V(Max) @IC= 20A APPLICATIONS · High voltage color display horizontal deflection output 文件：331.02 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3998	文件：511.51 Kbytes Page：3 Pages	PNP Power Transistor Features ◇High speed(tf=100ns type) ◇High breakdown voltage(VCBO=1500V) ◇High reliability(adoption of HVP process) ◇Adoption of MBIT process Applications ◇Designed for horizontal deflection output applications. 文件：511.51 Kbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
2SC3998	文件：446.78 Kbytes Page：3 Pages	250 Watt NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 文件：446.78 Kbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SC3998	文件：529.87 Kbytes Page：3 Pages	250 Watt NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 文件：529.87 Kbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SC3998	文件：300 bytes Page：1 Pages	Very High-Definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3998S	文件：496.66 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 550V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):2.0V(Max) @IC= 8.0A APPLICATIONS · High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output 文件：496.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3998_17	文件：529.87 Kbytes Page：3 Pages	250 Watt NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 文件：529.87 Kbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SC3998T7TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Sourcechips 源芯	Sourcechips

晶体管资料

型号：
2SC3998
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
行输出（HA）_HI_DEF
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4789,
最大耗散功率：
250W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
25
wtest：
250

详细参数

型号：
2SC3998
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

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