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2SB1260	文件：66.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1260	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(−80V,−1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistor PNPPlastic-EncapsulateTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1260	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：193.99 Kbytes Page：2 Pages	-1A,-80VPNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ♦HighbreakdownvoltageandhighcurrentBVCEO=-80V,IC=-1A ♦GoodhFElinearity ♦Complementsto2SD1898	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1260	文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：236.3 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat). ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1260	文件：220.75 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1260	文件：203.61 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：154.56 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：131.89 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB1260	文件：173.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A •GoodhFEVLinearity. •LowVCE(sat). •Complementsthe2SD1898.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SB1260	文件：669.38 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,goodhFElinearity,lowVCE(sat),complementsthe2SD1898. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A) Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1260	文件：362.29 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SB1260	文件：1.74143 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-encapsulatePNPTransistors	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SB1260	文件：188.72 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A) FEATURES ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFEVLinearity. ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS ●EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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更多2SB1260贴片三极管供应商更新时间2024-9-22 11:00:00

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