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2N7002BKM	文件：151.98 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 文件：151.98 Kbytes 页数：17 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKM_15	文件：356.49 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 文件：356.49 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKMB_15	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：667.35 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKS	文件：384.54 Kbytes Page：16 Pages	丝印：ZT*；Package：SOT-363；60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：384.54 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKS_15	文件：384.54 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：384.54 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKV_15	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	丝印：ZG；Package：SOT-666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：379.26 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKW	文件：1.74836 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.74836 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N7002BKW_15	文件：164.5 Kbytes Page：16 Pages	丝印：X9-；Package：SOT-323；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 文件：164.5 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002CK_15	文件：83.83 Kbytes Page：13 Pages	60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET 文件：83.83 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002CSM	文件：14.46 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR 文件：14.46 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.115 A
PD @ TA = +25°C：
0.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	2N7002DW	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT363	154708	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多2N7002_供应商更新时间2026-2-4 8:10:00

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