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2N7002BKM	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	丝印：Z8；Package：SOT-883；60 V, single N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFETtechnology ESD protect 文件：667.35 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKM	文件：906 Kbytes Page：16 Pages	丝印：Z8；Package：SC-101；60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET tec 文件：906 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKM	文件：151.98 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 文件：151.98 Kbytes 页数：17 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2N7002BKMB	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFETtechnology ESD protect 文件：667.35 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKMB	文件：1.4098 Mbytes Page：15 Pages	丝印：0000；Package：SOT883B；60 V, single N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Very fast switching  Trench MOSFET technology  ESD prote 文件：1.4098 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKM_15	文件：356.49 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 文件：356.49 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2N7002BKMB_15	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：667.35 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2N7002BKM	文件：300 bytes Page：1 Pages	2N7002BKM - 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·AEC-Q101 qualified\n·ESD protection up to 2 kV\n·Logic-level compatible\n·Trench MOSFET technology\n·Very fast switching;	Nexperia 安世	Nexperia
2N7002BKMB	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET General description\nN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\nVery fast switching\nTrench MOSFETtechnology\nESD protection up to 2 kV\n	恩XP 恩智浦	恩XP
2N7002BKMB	文件：300 bytes Page：1 Pages	2N7002BKMB - 60 V, single N-channel Trench MOSFET 60 V, single N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Very fast switching\n·Trench MOSFET technology\n·ESD protection up to 2 kV\n·Logic-level compatible\n·Ultra thin package profile with 0.37 mm height;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1006-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
1600
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
2000
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
0.45
Q_GD [typ] (nC)：
0.1
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
0.5
P_tot [max] (W)：
0.36
V_GSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
33
C_oss [typ] (pF)：
7
Date：
2011-01-24

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