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2N5550	文件：36.19 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5550	文件：83.22 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
2N5550	文件：106.28 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
2N5550	文件：89.26 Kbytes Page：3 Pages	AmplifierTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5550G	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N5550RLRPG	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5550S	文件：152.53 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=160V,VCEO=140V •LowLeakageCurrent. :ICBO=100nA(Max.)VCB=100V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.25V(Max.)IC=50mA,IB=5mA •LowNoise:NF=10dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
2N5550TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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