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2N5550	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5550	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
2N5550	文件：165.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5550	文件：147.34 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=160V,VCEO=140V •LowLeakageCurrent. :ICBO=100nA(Max.)VCB=100V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.25V(Max.)IC=50mA,IB=5mA •LowNoise:NF=10dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5550	文件：28.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AmplifierTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=140V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5550	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???? NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N5550	文件：33.73 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AmplifierTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=140V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
2N5550	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplements:2N5400and2N5401. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS •Switchingandamplificationinhighvoltageapplicationssuchastelephony.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N5550	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	mplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5550	文件：278.48 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage ●Applicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.160V)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN

详细参数

型号：
2N5550TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5550TAR_Q供应商更新时间2025-5-19 16:00:00

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