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2N5550	文件：463.88 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof625mWattsofPowerDissipation •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N5550	文件：106.56 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistorsST2N5400andST2N5401arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5550	文件：212.29 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltageNPNTransistorForGeneralPurposeandTelephonyApplications.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N5550	文件：182.8 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2NTRANSISTORS SERIES2NTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5550	文件：469.34 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N5550	文件：157.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALHIGHVOLTAGEGENERALPURPOSEAMPLIFIER NPNSMALLSIGNALHIGHVOLTAGEGENERALPURPOSEAMPLIFIER	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5550	文件：128.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •Switchingandamplificationinhighvoltage •Applicationssuchastelephony •Lowcurrent(max.600mA) •Highvoltage(max.160V)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N5550	文件：59.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES ·Lowcurrent(max.300mA) ·Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS ·Switchingandamplificationinhighvoltageapplications suchastelephony. DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plastic package.PNPcomplements:2N5400and2N5401.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N5550	文件：1.72509 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Switchingandmplificationinigholtage Applicationssuchaselephony Lowurrent(ax.600mA) Higholtage(ax.160V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5550	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
2N5550TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5550TAR_Q供应商更新时间2025-5-19 16:00:00

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