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2N5195G	文件：208.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -80V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) :-1.4V(Max) @IC= -4A 文件：208.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5195G	文件：86.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：86.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195G	文件：142.76 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 4 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 60 ??80 VOLTS 文件：142.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多2N5195G供应商更新时间2026-4-18 8:12:00