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2N5401G	文件：177.21 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistor(PNP Silicon) PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N5401G	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5401G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5401G-X-AB3-R	文件：235.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401G-X-AB3-R	文件：256.99 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401G-X-T92-A-B	文件：256.99 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401G-X-T92-A-K	文件：256.99 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401G-X-T92-B	文件：256.99 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401G-X-T92-B	文件：235.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401G-X-T92-K	文件：256.99 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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2N5401G-X-T92-R	文件：235.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5401	文件：177.21 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistor(PNPSilicon) PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N5401	文件：43.63 Kbytes Page：8 Pages	PNPhigh-voltagetransistor DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Telephonyapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N5401	文件：76.73 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
2N5401	文件：124.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications??? PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N5401	文件：109.53 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5401	文件：145.54 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-160V,VCEO=-150V •LowLeakageCurrent. :ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5401	文件：165.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5401	文件：202.36 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeamplifierHighvoltageapplication) Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •Complementarypairwith2N5551	AUK AUK	AUK

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产品属性

产品编号：
2N5401G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A TO92

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更多2N5401G供应商更新时间2024-4-29 16:37:00

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