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2N5401G	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：83.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5401G	文件：177.21 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistor(PNP Silicon) PNP Silicon 文件：177.21 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
2N5401G-X-AB3-R	文件：235.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR 文件：235.08 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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产品属性

产品编号：
2N5401G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A TO92

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更多2N5401G供应商更新时间2026-1-22 19:20:00

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