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2N5191G	文件：144.86 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits − excellent safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195. Features • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in. • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：144.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5191G	文件：145.7 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits − excellent safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195. Features • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in. • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：145.7 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2N5191G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2N5191G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 1A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1.5A，2V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 60V 4A TO126

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更多2N5191G供应商更新时间2026-4-18 8:12:00

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