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2N5194G	文件：86.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5194G	文件：142.76 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 4 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 60 ??80 VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5194G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5194G_13	文件：142.76 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 4 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 60 ??80 VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5194	文件：99.34 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPNPPowerTransistors(4AMPERE) SiliconPNPPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseinpoweramplifierandswitchingcircuits;excellentsafearealimits.ComplementtoNPN2N5191,2N5192. Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5194	文件：60.11 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTORGENERALPURPOSEPOWER DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5193,2N5194,and2N5195areSiliconPNPExpitaxialBasePowerTransistorsdesignedforMeiumpoweramplifierandSwitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5194	文件：86.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5194	文件：48.15 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2N5190,2N5191,2N5192 ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Foruseinmediumpowerlinearandswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2N5194	文件：105.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2N5190/5191/5192 ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Foruseinmediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N5194	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2N5190/5191/5192 ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Foruseinmediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N5194	文件：518.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5194	文件：106.63 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N5194	文件：94.95 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-40V(Min)-2N5193 =-60V(Min)-2N5194 =-80V(Min)-2N5195 •GoodLinearityofhFE •LowSaturationVoltage •ComplementtoType2N5190/5191/5192 APPLICATIONS •Designedforusei	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5194	文件：140.27 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-40V(Min)-2N5193 =-60V(Min)-2N5194 =-80V(Min)-2N5195 •GoodLinearityofhFE •LowSaturationVoltage •ComplementtoType2N5190/5191/5192 APPLICATIONS •Designedforusei	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
2N5194G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 1A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1.5A，2V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 60V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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