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2N5087RLRA

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 0.05A TO92

ONSEMI

安森美半导体

2N5087RLRAG

Amplifier Transistor PNP Silicon

文件:156.05 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5087RLRAG

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 0.05A TO92

ONSEMI

安森美半导体

H2N5087

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description This device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications for 1uA to 25mA collector current.

文件:39.23 Kbytes 页数:4 Pages

HSMC

华昕

ST2N5087

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into one group according to it DC current gain. As complementary type the NPN transistor ST 2N5088 and ST 2N5089 are recommended. On special request, these transistors can be ma

文件:359.29 Kbytes 页数:5 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2N5087RLRA

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 100µA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    40MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.05A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-92
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更多2N5087RLRA供应商 更新时间2025-10-8 10:12:00