丝印：20N15；Package：TO-252；N-Channel Enhancement MOSFET

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

丝印：20N150；Package：TO-252-2L；N-Channel Super Trench Power MOSFET

General Features ● VDS =150V,ID =20A RDS(ON)=59mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested

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RECTRON

丽正国际

20A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

Fast Switching

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ISC

无锡固电

Metal Oxide Varistors Data Sheet

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HUAXINAN

华兴安

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件：1.00248 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

20A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET

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