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12M2H008	文件：1.22283 Mbytes Page：17 Pages	型号：IMBG120R008M2H；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=144AatTC=100°C •RDS(on)=7.7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparas 文件：1.22283 Mbytes 页数：17 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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Page：17 Pages

型号：IMBG120R008M2H；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=144AatTC=100°C •RDS(on)=7.7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparas

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多12M2H008供应商更新时间2025-8-5 10:32:00

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