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12M2H010	文件：1.29737 Mbytes Page：17 Pages	型号：IMCQ120R010M2H；Package：PG-HDSOP-22-U03；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=138AatTC=100°C •RDS(on)=10mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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12M2H010

文件：1.29737 Mbytes

Page：17 Pages

型号：IMCQ120R010M2H；Package：PG-HDSOP-22-U03；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=138AatTC=100°C •RDS(on)=10mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasi

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多12M2H010供应商更新时间2025-8-4 16:46:00

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