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12M2H181	文件：1.27948 Mbytes Page：17 Pages	型号：IMBG120R181M2H；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=10.5AatTC=100°C •RDS(on)=181.4mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstpa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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文件：1.27948 Mbytes

Page：17 Pages

型号：IMBG120R181M2H；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=10.5AatTC=100°C •RDS(on)=181.4mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstpa

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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天津市博通航睿技术有限公司	IMBG120R220M1HXTMA1	INFINEON	23+	N/A	7000		询价

更多12M2H181供应商更新时间2025-8-4 18:08:00

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