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RFD12N06

丝印:12N06LE;Package:TO-252;60V N-Channel MOSFET

Features • Ultra Low On-Resistance - RDS(ON)

文件:503.43 Kbytes 页数:7 Pages

UMW

友台半导体

RFD12N06RLESM9A

丝印:12N06LE;Package:TO-252;60V N-Channel MOSFET

Features • Ultra Low On-Resistance - RDS(ON)

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UMW

友台半导体

详细参数

  • 型号:

    12N06LE

  • 功能描述:

    MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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