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RFD12N06RLESM9A中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

RFD12N06RLESM9A
厂商型号

RFD12N06RLESM9A

功能描述

60V N-Channel MOSFET

丝印标识

12N06LE

封装外壳

TO-252

文件大小

503.43 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

UMW友台半导体

中文名称

广东友台半导体有限公司官网

原厂标识
UMW
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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RFD12N06RLESM9A规格书详情

特性 Features

• Ultra Low On-Resistance

- RDS(ON) < 63mΩ(VGS= 10V)

- RDS(ON) <71mΩ(VGS= 5V)

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Switching Time vs RGS Curves

产品属性

  • 型号:

    RFD12N06RLESM9A

  • 功能描述:

    MOSFET 60V Single

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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