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RFD12N06RLESM中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

RFD12N06RLESM
厂商型号

RFD12N06RLESM

功能描述

17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

文件大小

215.95 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-2 11:13:00

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RFD12N06RLESM规格书详情

特性 Features

• Ultra Low On-Resistance

- rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V

- rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V

• Simulation Models

- Temperature Compensated PSPICE® and SABER©

Electrical Models

- Spice and SABER© Thermal Impedance Models

- www.fairchildsemi.com

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Switching Time vs RGS Curves

产品属性

  • 型号:

    RFD12N06RLESM

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET N D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    17A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    60V; On Resistance

  • Rds(on):

    70mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    3V; Power Dissipation

  • Pd:

    49W ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

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