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RFD12N06	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	丝印：12N06LE；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - RDS(ON) 文件：503.43 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
RFD12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse 文件：215.95 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs These N-Channel logic level ESD protected power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use with logic 文件：49.12 Kbytes 页数：6 Pages	Intersil	Intersil
RFD12N06RLE	文件：309.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 63mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：309.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFD12N06RLESM	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse 文件：215.95 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs These N-Channel logic level ESD protected power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use with logic 文件：49.12 Kbytes 页数：6 Pages	Intersil	Intersil
RFD12N06RLESM9A	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	丝印：12N06LE；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - RDS(ON) 文件：503.43 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
RFD12N06RLESM9A	文件：844.26 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：844.26 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
RFD12N06LESM	文件：897.04 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897.04 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：896.99 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
50
VGS Max (V)：
±16
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
17
PD Max (W)：
49
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
75
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
63
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6.8
Ciss Typ (pF)：
485
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	RFD12N06	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多RFD12N06供应商更新时间2025-10-10 10:05:00

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