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RFD12N06	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	Marking：12N06LE；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
RFD12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM9A	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	Marking：12N06LE；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
RFD12N06RLESM9A	文件：844.26 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
RFD12N06LESM	文件：897.04 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
RFD12N06
功能描述：
MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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