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RFD12N06RLESM

N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,60V,17 A,71mΩ

RFD12N06RLESM •超低导通电阻\n•仿真模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•开关时间与RGS曲线;

ONSEMI

安森美半导体

RFD12N06RLE

17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    50

  • VGS Max (V):

    ±16

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    17

  • PD Max (W):

    49

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    75

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    63

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    6.8

  • Ciss Typ (pF):

    485

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RFD12N06供应商 更新时间2025-10-11 14:02:00