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RFD12N06RLESM数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

RFD12N06RLESM

功能描述

N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,60V,17 A,71mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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RFD12N06RLESM规格书详情

描述 Description

RFD12N06RLESM

特性 Features

•超低导通电阻
•仿真模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•开关时间与RGS曲线

应用 Application

• TBA

技术参数

  • 制造商编号

    :RFD12N06RLESM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :50

  • VGS Max (V)

    :±16

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :17

  • PD Max (W)

    :49

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :75

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :63

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.8

  • Ciss Typ (pF)

    :485

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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