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RFD12N06RLESM中文资料N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,60V,17 A,71mΩ数据手册ONSEMI规格书
RFD12N06RLESM规格书详情
描述 Description
RFD12N06RLESM
特性 Features
•超低导通电阻
•仿真模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•开关时间与RGS曲线
应用 Application
• TBA
技术参数
- 制造商编号
:RFD12N06RLESM
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:50
- VGS Max (V)
:±16
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:17
- PD Max (W)
:49
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:63
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:6.8
- Ciss Typ (pF)
:485
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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TO252-2 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-252 |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-252 |
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