| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：12M2H053；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=29AatTC=100°C •RDS(on)=52.6mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparas | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：12M2H053；Package：PG-HDSOP-22-U03；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=31AatTC=100°C •RDS(on)=52.6mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparas | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：12M2H053；Package：PG-TO247-4-U07；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=27AatTC=100°C •RDS(on)=53mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasit | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
