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Marking：12M2H022；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=62AatTC=100°C •RDS(on)=21.6mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparas | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：12M2H022；Package：PG-TO247-4-U07；CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDDC=57AatTC=100°C •RDS(on)=22mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •OverloadoperationuptoTvj=200°C •Shortcircuitwithstandtime2μs •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasit | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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