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IPB035N10NF2S

丝印:035N10NS;Package:PG-TO263-3;MOSFET StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 100 V

Features • Optimized for a wide range of applications • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

文件:883.46 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

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更多035N10NS供应商 更新时间2025-9-21 15:16:00