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NVMTS001N06CTXG	文件：400.42 Kbytes Page：7 Pages	Marking：001N06C；Package：DFNW8；MOSFET ??Power, Single N-Channel 60 V, 0.91 m, 376 A Features •SmallFootprint(8x8mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •WettableFlankPlatedforEnhancedOpticalInspection •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PBSS5130QA	文件：726.66 Kbytes Page：17 Pages	Marking：001010；Package：DFN1010D-3；30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4130QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EMB	文件：836.02 Kbytes Page：13 Pages	Marking：00100010；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA124EMB	文件：969.13 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00100101；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = 22 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC124EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143EMB	文件：839.15 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00100111；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 4.7 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143TMB	文件：725.99 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00101000；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = open Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143TMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143XMB	文件：962.15 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00101001；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 10 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143XMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■Reducespick	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA143ZMB	文件：837.43 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00101010；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign AEC-Q101qualified LeadlessultrasmallSMDplastic package Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA144EMB	文件：969.87 Kbytes Page：13 Pages	Marking：00101011；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 47 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC144EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA144WMB	文件：834.24 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00101110；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 22 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC144WMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
001
制造商：
Honeywell Sensing and Control
功能描述：
Optoswitch

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	001	NULL	2023+	NULL	8700	原装现货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	0012D2077P	ROHM	23+	SOP	12335		询价
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更多001供应商更新时间2025-6-21 17:43:00

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