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PDTA123EMB	文件：836.02 Kbytes Page：13 Pages	Marking：00100010；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123EMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTA123ES	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123ES	文件：189.73 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA123ES	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ES	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ES	文件：421.92 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123ET	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123ET	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PDTA123EMB
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANS PNP W/RES 50V SOT883B
功能描述：
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B
功能描述：
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B, Transistor
Polarity：
PNP, Collector Emitter Volta

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	PDTA123EMB	Nexperia/安世	22+	SOT883B	300000	原厂原装正品现货	询价
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更多PDTA123EMB供应商更新时间2025-5-6 16:20:00

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