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PDTA123EMB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
PDTA123EMB |
| 参数属性 | PDTA123EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 16:07:00 |
| 人工找货 | PDTA123EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA123EMB规格书详情
描述 Description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC123EMB.
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTA123EMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：PNP
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：2.2
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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Nexperia |
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恩XP |
24+ |
SMD |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
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