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PDTA123EMB分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | 
                                        PDTA123EMB | 
                                
| 参数属性 | PDTA123EMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3  | 
                                
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓  | 
                                
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT883B / 3-XFDFN  | 
                                
| 文件大小 | 
                                         836.02 Kbytes  | 
                                
| 页面数量 | 
                                         13 页  | 
                                
| 生产厂商 | NEXPERIA  | 
                                
| 中文名称 | 安世  | 
                                
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-4 23:00:00  | 
                                
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PDTA123EMB规格书详情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PDTC123EMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
产品属性
- 产品编号:
PDTA123EMB,315
 - 制造商:
Nexperia USA Inc.
 - 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
 - 包装:
卷带(TR)
 - 晶体管类型:
PNP - 预偏压
 - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 20mA,5V
 - 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 500µA,10mA
 - 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
 - 安装类型:
表面贴装型
 - 封装/外壳:
3-XFDFN
 - 供应商器件封装:
DFN1006B-3
 - 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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