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ZXT10P12DE6TA	文件：232.51 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：232.51 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT10P12DE6TA	文件：245.2 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features • BVCEO > -12V • IC = - 3A Continuous Collector Current • ICM = -10A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 65mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • Low Saturation Voltage (-100mV max @ 1A) • hFE Characterized up to -10A for High Current Gain Hold-Up • Totally Lead-Free & Fully RoHS 文件：245.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10P12DE6TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 3A SOT23-6	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10P12DE6TC	文件：245.2 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features • BVCEO > -12V • IC = - 3A Continuous Collector Current • ICM = -10A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 65mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • Low Saturation Voltage (-100mV max @ 1A) • hFE Characterized up to -10A for High Current Gain Hold-Up • Totally Lead-Free & Fully RoHS 文件：245.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10P12DE6TC	文件：232.51 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：232.51 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX

产品属性

产品编号：
ZXT10P12DE6TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
110MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-23-6
描述：
TRANS PNP 12V 3A SOT23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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