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ZXT10P20DE6TA	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors
ZXT10P20DE6TA	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P20DE6TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
ZXT10P20DE6	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors
ZXT10P20DE6	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P20DE6TC	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors
ZXT10P20DE6TC	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

产品属性

产品编号：
ZXT10P20DE6TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
描述：
TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6

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更多ZXT10P20DE6TA供应商更新时间2024-4-24 11:13:00

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