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ZXT13P20DE6TA

20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

SUMMARY VCEO=-20V; RSAT = 47m ; IC= -3.5A DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching appl

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ZETEX

ZXT13P20DE6TA

20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

SUMMARY VCEO=-20V; RSAT = 47m ; IC= -3.5A DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switch

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DIODES

美台半导体

ZXT13P20DE6TA

PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件:376.89 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZXT13P20DE6TA

Package:SOT-23-6;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 4A SOT26

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT13P20DE6TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 350mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-26

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 4A SOT26

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZXT13P20DE6TA供应商 更新时间2026-1-30 23:00:00