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ZXTD718MCTA	文件：194.35 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>-20V; •IC=-3.5AContinuousCollectorCurrent •RSAT=64mΩforLowEquivalentOnResistance •LowSaturationVoltage(-220mV@-1A) •hFEcharacterizedupto-6Aforhighcurrentgainholdsup •DualNPNsavingfootprintandcomponentcount •Lowprofile	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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ZXTP718MATC	文件：163.15 Kbytes Page：7 Pages	20VPNPLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>-20V •IC=-3.5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(-220mVmax@-1A) •RSAT=64mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEspecifiedupto-6Aforhighcurrentgainholdup •Lowprofile0.6mmhighpackageforthinapplications •RθJA	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTPS718MC	文件：270 Kbytes Page：10 Pages	20VPNPLOWSATURATIONTRANSISTORAND FeaturesandBenefits PNPTransistor •BVCEO>-20V •IC=-3.5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(-220mVmax@-1A) •RSAT=64mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEcharacterizedupto-6Aforhighcurrentgainholdup SchottkyDiode •BVR>40	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
ZXTD718MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP/PNP DFN30208 GREEN 3K
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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